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澳开发出纳米级超快忆阻器

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摘要 澳大利亚墨尔本皇家理工大学的科学家用非晶钙钛矿氧化物开发出一种纳米级超快忆阻器。研究人员称,这种新型忆阻器为高度稳定可靠的纳米级存储设备的发展提供了一个新的平台,今后有望成为制造人工大脑的关键部件。相关论文将作为封面文章发表在近日出版的《先进功能材料》杂志上。
出处 《企业技术开发》 2014年第10期10-10,共1页 Technological Development of Enterprise
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