摘要
设计了一种应用于LTE band1的带有自适应线性化偏置电路的高效率双链式HBT功率放大器。该电路基于InGaP/GaAs HBT工艺设计,通过控制偏置电路电压来选择高功率和低功率模式,对高功率模式仿真和测试结果进行分析。通过调试,最终高功率模式输出功率为28dBm时,增益为27.5dB,功率附加效率为43%,ACPR为-38dBc。在低功率模式输出功率为16dBm时有21%的功率附加效率。
A double chain HBT power amplifier with high efficiency applied in LTE band1 is presented.The circuit structure is designed based on InGaP/GaAs HBT technology,and the high power or low power mode can be selected through regulating the bias circuit voltage.The testing results show that for cell band in the high mode,43% PAEand-38 dBc ACPRare achieved at＋28dBmPout,while in the low mode,21% PAEis obtained at＋16dBmPout.
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第5期450-454,共5页
Research & Progress of SSE
关键词
长期演进
功率放大器
铟镓磷/砷化镓异质结双极晶体管
功率附加效率
long-term evolution
power amplifier
InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor（HBT）
power added efficiency（PAE）
