摘要
论述了光刻技术发展的历程、趋势和极紫外投影光刻技术的特性 ,并介绍了极紫外投影光刻原理装置的研制工作。该装置由激光等离子体光源、掠入射椭球聚光镜、透射掩模、施瓦茨微缩投影物镜及相应的真空系统组成。其工作波长为 13nm ,在直径为 0 1mm的像方视场内设计分辨率优于 0 1μm。
The prototype for extreme ultraviolet projection lithography at 13 nm wavelength includes a laser plasma source, an ellipsoidal condenser, a transmission mask, the Schwarzschild objective, a resist coated wafer and the associated vacuum apparatus. The optical design is optimized to achieve a resolution better than 0.1 μm over a 0.1 mm diameter image field of view.
出处
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第7期852-857,共6页
Acta Optica Sinica
基金
国家自然科学基金 (6 99380 2 0 1)资助课题
