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低压带隙基准源的设计 被引量:1

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摘要 在传统带隙结构基础上,实现了一种适用于1.5V电源电压的带隙基准电压源。电路设计采用SMIC0.18umCMOS工艺实现,测试结果显示,在低电压的工作状态下,该电路能够稳定工作,并且其温度系数达到34ppm。
作者 李晨
出处 《数字技术与应用》 2014年第9期180-180,共1页 Digital Technology & Application
  • 相关文献

参考文献3

  • 1Doyle,LeeYJ.Kim Y B.A CMOS Subband gap Re ference Circuit with IV Power Supply Voltage [J].IEEE Journal of Solid-State Circuits,2004,39(1 ):252-255.
  • 2陈贵灿,程军,张瑞智等译.毕查德拉扎维模拟CMOS集成电路设计[M].西安:西安交通大学出版社,2003.
  • 3M.Pelgrom,Duinmaijer,Welbers.Matching properties of MOS transistors.IEEE Journal of Solid-State Circuits.1989,May, vol. 24.pp.1433-1439.

同被引文献9

引证文献1

二级引证文献4

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