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全碳化硅(SiC)模块技术 被引量:3

All SiC Module Technique
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摘要 SiC器件等下世代功率半导体,具有高耐压、低损耗以及可高频、高温操作这些优越的特性。为了最大限度地发挥这些优势,开发了器件由铜插头连接、由环氧脂密封的新型功率模块结构。利用这一结构,提高了温度循环容限(cycle Tolerance);利用银烧结材料,已确认在200℃下工作的高可靠性;而且对新结构特点的充分发挥,可实现模块的低电感设计。试制的全SiC模块,可使用于太阳能光伏发电的功率调节器(conditioner)提高效率并大幅度小型化。
出处 《磁性元件与电源》 2014年第11期134-137,142,共5页 Components and Power
  • 相关文献

同被引文献4

  • 1三浦成久,SiCパワーチップおよびSiCパワーモジュールの ,制品化开宛动向《电气评论》2013.No.P20-24.
  • 2盛况,郭清,仲雪倩,碳化硅电力电子器件的发展现状,《电力电子信息》2014.No.3P3034.
  • 3三浦成久,SiCパワーチップおよびSiCパワーモジ ユルの製品化開発動向《电气评论》2013.No.P20-24.
  • 4盛况,郭清,仲雪倩.碳化硅电力电子器件的发展现状,《电力电子信息》2014.No.3P30-34.

引证文献3

二级引证文献7

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