期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

照明史上的第二次革命:解读2014年诺贝尔物理学奖 被引量：3

原文传递
导出
摘要 赤崎勇（Isamu Akasaki）、天野浩（Hiroshi Amano）和中村修二（Shuji Nakamura）因发明＂蓝光发光二极管＂获得2014年诺贝尔物理学奖.为什么这项发明如此重要呢？以蓝光LED（light-emitting diode）为核心技术的半导体照明具有寿命长、色彩可控、无汞和低压工作等优点,有巨大的应用潜力和广阔的市场空间,可以大大降低能源消耗和温室气体的排放.陈良惠院士曾经做了一个估算：如果中国的通用照明市场用LED照明来替代白炽灯和荧光灯的话,每年节约的电力将会超过3座三峡工程的发电量.
作者 李京波
机构地区 中国科学院半导体研究所
出处 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第34期3340-3341,共2页 Chinese Science Bulletin
关键词 诺贝尔物理学奖 半导体照明 第二次革命 蓝光发光二极管 解读 LED照明 市场空间 照明市场
分类号 TN312.8-19 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献7

  • 1Amano H, Kito M, Hiramatsu K, et al. P-type conduction in Mg-doped GaN treated with low-energy electron beam irradiation (LEEBI). Jpn J Appl Phys, 1989, 28:L2112-L2114.
  • 2Amano H, Kito M, Hiramatsn K, et al. Photoluminescence of Mg-doped p-type GaN and electroluminescence of GaN p-n junction LED. J Luminuescence, 1991, 48:666-670.
  • 3Nakamura S, Iwasa N, Senoh M, et al. Highly p-typed Mg-doped GaN films grown with GaN buffer layers. Jpn J Appl Phys, 1991, 30: L1708-L1711.
  • 4Nakamura S, lwasa N, Senoh M, et al. Thermal annealing effects on p-type Mg-doped GaN films. Jpn J Appl Phys, 1991, 31:L139-L142.
  • 5Nakamura S, Senoh M, Iwasa N, et al. High-brightness InGaN blue, green and yellow light-emitting diodes with quantum well structures. Jpn J Appl Phys, 1995, 34:L797-L799.
  • 6Nakamura S, Senoh M, Nagahama S, et al. InGaN multi-quantum-well-structure laser diodes with cleaved mirror cavity facets. Jpn J Appl Phys, 1996, 35:L217-L220.
  • 7Nakamura S, Senoh M, Nagahama S, et al. Optical gain and carrier lifetime of InGaN multi-quantum well structure laser diodes. Appl Phys Lett, 1996, 69:1568-1570.

同被引文献68

引证文献3

二级引证文献8

科学通报
2014年 第34期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部