英研发分子材料存储装置可客服闪存空间限制问题

英国新一期《自然》杂志刊载新研究说，科研人员开发出一种分子材料，可克服传统电子元件造成的闪存空间限制问题，使常用的相机、手机等存储卡提升存储能力。 闪存是一种很普遍的数据存储技术，但由于现有的数据单元设计问题，这种存储方式有着物理上的局限性。目前闪存装置采用金属氧化物半导体，而用这种材料很难生产出10个纳米单位以下大小的元件，这就限制了传统硅芯片所能存储的空间。