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宽禁带半导体的本征载流子浓度 被引量:2

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摘要 列举了有代表性的宽禁带半导体本征载流子浓度的理论公式,简要叙述了温度与禁带宽度变化的关系,讨论了本征载流子浓度对电力电子器件参数特性的影响,并通过与硅材料的对比说明了宽禁带半导体的优异性能。
作者 田石 刘国辉
出处 《科技创新与应用》 2015年第2期26-27,共2页 Technology Innovation and Application
  • 相关文献

参考文献4

  • 1[美]巴利伽Baliga,B·J.功率半导体器件基础[M].韩郑生,陆江,宋李梅,等译.北京:电子工业出版社,2013.
  • 2[德]卢茨Josef Lutz,etal.功率半导体器件-原理、特性和可靠性[M].卞抗等译.北京:机械工业出版社,2013.
  • 3[俄]莱文斯坦(Levinshtein,M·E)etal.先进半导体材料性能与数据手册[M].杨树人,殷景志译.北京:化学工业出版社,2003.
  • 4潘福泉,关艳霞.再议PiN器件的极限雪崩电压[J].变频技术应用,2012,7(6):49-51. 被引量:2

共引文献1

同被引文献6

引证文献2

二级引证文献1

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