中科院上海微系统所制备出六方氮化硼单晶畴

据《中国科学报》报道，1月25日，记者从中科院上海微系统所获悉，该所卢光远和吴天如等科研人员采用化学汽相沉积（CVD）方法，成功在铜镍合金衬底上制备出了单层高质量六方氮化硼（h-BN）单晶畴，其单品面积较之前文献报道的高出约两个数量级。专家认为，该项研究进展为研发晶圆级h—BN、h-BN／石墨烯异质结和超结构奠定了重要实验基础。相关研究成果已发表在《自然-通讯》期刊上。