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一种深腔内图形制作的光刻方法
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摘要
针对半球陀螺在研制流片时遇到的深腔内光刻难题,在现有条件下开展了深腔内光刻工艺实验。实验中将曝光间隙类比深腔深度,利用现有条件开展一系列实验。最终得出:在400~600μm曝光间隙内,采用现有光刻机进行深腔光刻工艺制作时,掩膜图形转移尺寸与曝光量有关,与曝光间隙没有明显关系。实验得出的工艺参数已经应用到半球陀螺项目的制作。
作者
王文婧
陈璞
何凯旋
王鹏
机构地区
北方通用电子集团有限公司微电子部
出处
《集成电路通讯》
2014年第4期12-16,26,共6页
关键词
深腔光刻
曝光量
曝光间隙
半球陀螺
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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