摘要
设计了一款基于2μm InGaP/GaAs HBT工艺的移动通信用高线性功率放大器,应用于移动终端WLAN 802.11b/g/n 2.4-2.5GHz。整个放大器芯片由三级放大电路构成,芯片面积为1.9mm×1.7mm。在VCC=Vbias=＋5V、VReg=VPdown=＋2.85V双电源供电条件下,测试频点为2.45GHz时,线性增益为35dB,1dB压缩点处输出功率为34.5dBm,此时效率为37.5%。输出功率为27dBm时,EVM（误差矢量幅度）值小于3%（输入信号为WLAN 802.11g 64QAM 54 Mb/s）,可以满足WLAN应用对线性度的需求。
A InGaP/GaAs HBT MMIC power amplifier for 2.4-2.5GHz WLAN applications is presented in this paper.The amplifier has 3amplification stages to meet the gain requirement.The chip size is 1.9mm×1.7mm.At 2.45 GHz with VCC=Vbias=＋5V,VReg=VPdown=＋2.85 V,the amplifier delivers 34.5dBm P-1 power to the load with power gain of 35 dB and efficiency of 37.5%.The amplifier driven by WLAN 802.11 g 64QAM 54Mb/s shows error vector magnitude（EVM）of less than 3%,which meets the linearity of WLAN application.
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期46-51,共6页
Research & Progress of SSE
关键词
无线局域网
线性功率放大器
异质结双极型晶体管
误差矢量幅度
wireless local area networks（WLAN）
linear power amplifier
heterojunction bipolar transistor（HBT）
error vector magnitude（EVM）
