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快速退火技术在磁交换偏置薄膜中的应用及展望

Application of rapid thermal annealing technology to exchange bias magnetic thin films
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摘要 快速退火技术(RTA)可在极短的时间内使器件表面升至高温,该技术被广泛运用在半导体制造领域。综述了RTA的发展历程及其应用于磁性薄膜所取得的进展,并对RTA在磁交换偏置薄膜中的应用前景进行了展望。 Rapid thermal annealing （RTA） is widely used in semiconductor fabrication, which can heat sample to high temperature within a short time. In this paper, the development of RTA is reviewed, and the progress and prospect for application on the magnetic thin films are analyzed.
作者 周广宏 朱雨富 潘旋
机构地区 淮阴工学院江苏省介入医疗器械研究重点实验室
出处 《磁性材料及器件》 CAS 2015年第2期74-77,共4页 Journal of Magnetic Materials and Devices
基金 江苏省自然科学基金资助项目(BK2012668)
关键词 磁性薄膜 快速退火 应用 magnetic film rapid thermal annealing applications
分类号 O484.43 [理学—固体物理]
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参考文献29

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磁性材料及器件
2015年 第2期

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