摘要
2015年3月18日,高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild正在利用其扩展温度（ET）中压MOSFET（能在175℃下工作）的扩充产品系列帮助生产商提高产品可靠性和性能。更高的工作温度将功率密度提高了85%,可靠性比额定值为150℃业内标准值的MOSFET高三倍。这一新的ET MOSFET产品系列符合IPC-9592电源转换标准,其最大结温可高达150℃,超过标准150℃MOSFET能达到的125℃。
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第4期254-254,共1页
Semiconductor Technology
