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Fairchild新的扩展温度中压MOSFET额定结温为175℃
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摘要
Fairchild正在利用其扩展温度(ET)中压MOSFET的扩充产品系列帮助生产商提高产品可靠性和性能。更高的工作温度将功率密度提高了85%,可靠性比额定值为150℃业内标准值的MOSFET高三倍。
出处
《电子产品世界》
2015年第4期71-71,共1页
Electronic Engineering & Product World
关键词
FAIRCHILD
MOSFET
工作温度
中压
产品可靠性
结温
功率密度
生产商
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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1
Fairchild新的扩展温度中压MOSFET额定结温为175℃[J]
.半导体技术,2015,40(4):254-254.
2
美高森美推出具有扩展温度和频率范围的超低功耗Sub-GHz射频产品[J]
.中国集成电路,2013,22(6):11-11.
3
Microsemi SmartFusion2 SoC FPGA系列安全评估方案[J]
.世界电子元器件,2016,0(7):9-11.
电子产品世界
2015年 第4期
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