英飞凌将与松下电器联袂,双双推出常闭型600V GaN功率器件

英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布,两家公司已达成协议,将联合开发采用松下电器的常闭式（增强型）硅基板氮化镓（GaN）晶体管结构,与英飞凌的表贴（SMD）封装的GaN器件。在此背景下,松下电器向英飞凌授予了使用其常闭型GaN晶体管结构的许可。按照这份协议的规定,两家公司均可生产高性能GaN器件。