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Vishay推出20VMOSFET可显著提高便携式电子产品
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摘要
Vishay新款20VMOSFET具有25A的连续漏极电流和H2500VESD保护能力,采用PowerPAKSC-70封装,面积2mm×2mm,可显著提高便携式电子产品的功率密度和可靠性器件。它同时也是业内唯一具有±20V的额定VGS,提供集成ESD保护功能的此类器件。
出处
《集成电路应用》
2015年第3期44-44,共1页
Application of IC
关键词
便携式电子产品
SC-70封装
保护能力
漏极电流
功率密度
保护功能
可靠性
VGS
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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Vishay推出首款带有同体封装的190V功率二极管的190V N通道功率MOSFET[J]
.电子与电脑,2009,9(2):66-66.
2
Vishay推出新款8V P沟道TrenchFET功率MoSFET-——SiA427DJ[J]
.电子质量,2011(2):38-38.
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SiA936EDJ:功率MOSFET[J]
.世界电子元器件,2014(6):25-25.
4
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5
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.世界电子元器件,2011(3):34-34.
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8
采用热增强封装的150V N沟道MOSFET[J]
.今日电子,2014(6):67-67.
9
赵佶.
Vishay MOSFET再度刷新业内最低导通电阻记录[J]
.半导体信息,2014(2):5-6.
10
江兴.
Vishay推出新款8 V N沟道TrenchFET功率MOSFET—SiA436DJ[J]
.半导体信息,2012,0(4):9-10.
集成电路应用
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