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氮化镓GaN为新时代开启一线曙光

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摘要随着设计变得越来越复杂,工程师不断寻找更新的半导体材料。氮化镓(Ga N)材料自从多年前开始被IEEE国际微波研讨会等重要会议视为一大趋势后,近年来已经逐渐稳定立足于RF/微波应用。

作者 Janine Love

出处《集成电路应用》 2015年第4期34-36,共3页 Application of IC

关键词半导体材料氮化镓 GAN

分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]

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集成电路应用

2015年第4期

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