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一种可抑制PVT偏差影响的LNA偏置电路研究

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摘要 尽量减小制造工艺、电源电压和温度给集成电路带来的偏差是现代集成电路设计的一项重要工作,现就这3个偏差进行理论分析,并提出一种应用于低噪声放大器(LNA)PVT偏差抑制的偏置电路,同时给出相关测试结果。
作者 王斌
出处 《机电信息》 2014年第21期131-132,共2页
  • 相关文献

参考文献3

  • 1Jindrich Windels, Christophe Van Praet, Herbert De Pauw, et al. Comparative study on the effects of PVT variations between a novel aI1-MOS current reference and alternative CMOS solutions[R]. 2009 52nd IEEE International Midwest Symposium on Circuits and Systems, 2009.
  • 2Paul R. Gray,Paul J. Hurst,Steven I.ewis,et al. Analysis and design of analog integrated circuits[M]. USA: John Wiley & Sons Inc, 2001.
  • 3Zhang Hao, Li Zhiqun, Wang Zhigong. A wideband variable gain differential CMOS LNA for multi-stan dard wireless I.AN [R]. International Conference on ICMMWT, 2008.

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