期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

Cadence与海思在FinFET设计领域扩大合作

下载PDF

导出

摘要 Cadence日前宣布，已与海思半导体（HiSilicon）签署合作协议，将于16nm FinFET设计领域大幅扩增采用Cadence数字与客制／模拟流程，并于10nm和7nm工艺的设计流程上密切合作。

机构地区 Cadence

出处《中国集成电路》 2015年第1期48-48,共1页 China lntegrated Circuit

关键词 CADENCE FINFET 合作协议设计流程模拟流程半导体

分类号 TN302 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

1武汉新芯半导体与Spansion开展32nm闪存合作[J].集成电路应用,2013(4):45-45.
2周晓明,夏炎.NBTI效应及其对集成电路设计的影响[J].电子器件,2007,30(2):407-410. 被引量：1
3安良友志.COMSOL在激光辐照光场数值模拟中的应用[J].通讯世界,2017,23(2):278-278. 被引量：1
4CSR与TSMC扩大合作至90nm嵌入式闪存制程技术与硅知识产权[J].电子与封装,2011,11(2):46-46.
5卢刚,李静.单电子存储器存储时间的Monte Carlo模拟[J].西安理工大学学报,2007,23(4):375-378.
6马浩宇.PayPal和Visa扩大合作加速数字支付和移动支付在亚太地区的应用[J].计算机与网络,2017,43(8):13-13.
7ST与RAM扩大合作，增强Nomadik处理器安全[J].电子产品世界,2005,12(01B):22-22.
8中兴透露正与Motorola商讨“扩大合作”事宜[J].现代表面贴装资讯,2008,7(1):24-24.
9英飞凌、TSMC扩大合作,携手65纳米嵌入式闪存工艺[J].中国集成电路,2009,18(12):73-73.
10Spansion与XMC半导体宣布开展32nm闪存合作[J].中国集成电路,2013,22(4):64-64.

中国集成电路

2015年第1期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部