激光芯片材料及发光器件制造工艺
出处
《科技开发动态》
2001年第8期58-58,共1页
R&D Information
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1英特尔研制出硅激光芯片[J].天津科技,2005,32(2):59-59.
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2谌立新.我国成功改写纳米线激光器调谐范围的世界纪录[J].功能材料信息,2009(2):63-63.
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3国内外专家合作改写纳米线激光器调谐范围世界纪录[J].大众科技,2009(4):4-4.
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4国内外专家合作改写纳米线激光器调谐范围世界纪录[J].电子元件与材料,2009,28(3):26-26.
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5IBM宣布在激光芯片领域实现重大突破[J].信息通信,2010(6):6-6.
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6英特尔开发出首枚全硅激光芯片硅和光电可望融合[J].半导体技术,2005,30(2):79-79.
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7王贞福,杨国文.808nm/976nm高效率、高功率半导体激光芯片[J].中国激光,2016,43(8):277-277. 被引量：2
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8我国科研人员改写纳米线激光器调谐范围世界纪录[J].传感器世界,2009,15(2):57-57.
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9欧司朗光电半导体最新研究项目,孕育出新一代激光棒[J].电子工业专用设备,2008,37(4):72-72.
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10德国研制出10层量子点激光器[J].光机电信息,2006(8):71-72.
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