TS-01C中波发射机MOSFET器件防击穿方法探讨

MOSFET作为一个时代的产物,随着技术领域的发展与进步,特别是针对大电流、小封装以及低功耗的MODFET器件的出现,已经得以广泛的运用。在中波发射机的脉宽调制以及功放电路当中被大量使用。但由于MOSFET器件自身特性的影响,在防雷防静电的操作当中存在一定困难。此次研究的根本目的,在于对TS-01C中波发射机MOSFET器件防击穿的方法进行探究,旨在探索解决方法。