北京科技大学新金属材料国家重点实验室采用自籽晶法制备高Nb—TiAl合金PST晶体取得重要进展

在传统的籽晶法制备高Nb-TiAl合金PST晶体过程中，首先需要制备适合条件的α籽晶，将其旋转，调整其片层方向与生长方向平行并安装至坩埚底部，其次为了防止α枝晶生长引起与生长方向垂直的片层组织，需要高温度梯度下平面固液界面的生长过程，通常在光学浮区生长炉等设备中才能达到。