电子和空穴掺杂CdO热电材料的第一性原理研究

采用密度泛函理论下的第一性原理计算方法结合波尔兹曼输运理论,讨论不同电子和空穴掺杂浓度对Cd O材料的电子结构及其热电输运特性的影响。通过能带结构以及态密度的计算,分析掺杂后Cd O的导带底和价带顶在费米能级附近的变化情况;在高温区电子和空穴掺杂Cd O的赛贝克系数的绝对值都是随温度的升高而升高。空穴掺杂后的载流子浓度比电子掺杂大,且空穴掺杂对Cd O赛贝克系数的提高比电子掺杂要多。