半导体激光防龋的探讨

目的 通过临床和扫描电镜观察半导体激光防治龋病的作用 ,并探讨其作用机制。方法 上颌乳前牙 2 5 6个 ,分为两组 ,一组用半导体激光治疗 ,另一组作对照组 ,不作任何处理。结果 用半导体激光治疗的乳牙 ,经 6个月后 ,其龋坏率为 5 .5 % ,对照组为 2 4% ,两者有显著性差异 (P <0 .0 1)。扫描电镜显示 :用半导体激光仪照射后 ,牙本质小管口不清晰 ,呈封闭状态。结论 半导体激光防治龋病是一种有效 ,安全。