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微电子所在黑硅电池研究中取得进展

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摘要近日,中国科学院微电子研究所四室研究员贾锐的科研团队在新型黑硅电池研究方面取得新进展。黑硅具有良好的陷光特性和极低的光反射率（〈1%）,在高效率、低成本晶体硅电池方面有着重要的产业化应用前景,是国际关注的研究热点领域。目前,黑硅太阳能电池效率提升存在诸多瓶颈,

机构地区中国科学院微电子研究所

出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期866-866,共1页 Journal of Synthetic Crystals

关键词硅电池硅太阳能电池晶体硅微电子研究所微电子所光特性力差产业化应用载流子输运中国科学院

分类号 TM914.41 [电气工程—电力电子与电力传动]

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人工晶体学报

2015年第4期

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