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三维阻变存储器技术专利申请分析

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摘要 在各种新型非易失性存储器中,阻变存储器RRAM具有存储单元结构简单、工作速度快、功耗低、有利于提高集成密度等诸多优点,具有成为下一代存储器的潜力,受到广泛的关注。本文介绍了RRAM技术的基本情况,结合三维RRAM相关的专利申请数量对近年来RRAM技术领域相关的专利进行了分析。
作者 陈敏 邢白灵
出处 《中国新通信》 2015年第10期82-83,共2页 China New Telecommunications
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参考文献1

  • 1Liu S Q, Wu N J, Ignatiev A. Electric-pulse-induced reversible resistance change effect in magnetoresistive film Applied Physic Letters, 2000,76(19): 2749-2751.

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