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摘要
我国成功研制6英寸碳化硅单晶衬底近日,中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室(筹)先进材料与结构分析实验室团队人员与北京天科合达蓝光半导体有限公司合作,成功研制出了6英寸碳化硅(SiC)单晶衬底。碳化硅属于第三代半导体材料,是制造高亮度LED、电力电子功率器件以及射频微波器件的理想衬底。
出处
《杭州科技》
2015年第2期5-5,共1页
Hangzhou Science&Technology
关键词
中国科学院物理研究所
碳化硅单晶
第三代半导体材料
国内
高亮度LED
分析实验室
国家实验室
凝聚态物理
分类号
TS102.45 [轻工技术与工程—纺织工程]
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6英寸碳化硅单晶衬底研制成功[组图][J]
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赵佶.
中科院物理所成功研制6英寸碳化硅单晶衬底[J]
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被引量:1
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杭州科技
2015年 第2期
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