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武汉新芯3D NAND研发取得重要进展
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摘要
武汉新芯集成电路制造有限公司（XMC），一家迅速发展的300MM集成电路制造商，近日宣布其3DNAND项目研发取得突破性进展，第一个具有9层结构的存储测试芯片通过存储器功能的电学验证。
机构地区
武汉新芯
出处
《微型机与应用》
2015年第10期76-76,共1页
Microcomputer & Its Applications
关键词
NAND
武汉
研发
集成电路制造
3D
存储测试
制造商
突破性
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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微型机与应用
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