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基于VLD终端的光刻对准标记工艺设计
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摘要
采用VLD终端的半导体器件,在工艺流程上首先需要进行终端制备,然后进行有源区的制备,这就需要在终端制备工艺结束之后,留下后续工艺制造所需要的光刻对版标记,本文设计了一种可以实现套刻的光刻对版标记的工艺,并给出了工艺实现的条件。
作者
肖步文
孙晓儒
甘新慧
周东飞
尹攀
机构地区
无锡华润华晶微电子有限公司
出处
《山东工业技术》
2015年第11期269-270,共2页
Journal of Shandong Industrial Technology
关键词
氮化硅
VLD终端
双层掩膜
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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山东工业技术
2015年 第11期
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