本期摘要

基于NiFe薄膜AMR效应磁阻开关芯片的研究 注：国家自然科学基金资助项目（项目编号：61471095） 摘要：利用磁控溅射设备在含有电路的6in．晶元上沉积惠斯通电桥形状的NiFe薄膜，对薄膜进行磁场退火处理．然后对薄膜进行后续的加工和封装．成功制备出磁阻开关芯片．经过测试获得芯片的相关电磁参数．发现其开关性能优异．温度稳定性好，静态功耗低．已经达到国外同类产品的性能。