常规多晶与高效率n型晶体硅太阳电池组件光谱响应趋势及原因分析
摘要
目前太阳能电池组件主要分为两种:一种是常规多晶太阳电池组件,一种是高效率n型晶体硅太阳电池组件。由于两种组件在设计原理上存在很大差异,导致它们对光谱响应时间的要求也是各自不同。文章通过对两种电池组件在不同光谱响应时间内进行I-V测试,分析两种组件对光谱响应时间上的需求情况以及原因分析。
出处
《中小企业管理与科技》
2015年第16期255-256,共2页
Management & Technology of SME
参考文献2
-
1Knobloch J,Glunz S.W,BiroD, et al, Solar cells with etiiciencies above 21% processed from Czochralski grown silicon [C]//IEEE Photovoltaic Specialist Conf, 1996;405-408.
-
2宋登元,熊景峰.高效率n型Si太阳电池技术现状及发展趋势[J].半导体光电,2013,34(3):351-354. 被引量:21
二级参考文献12
-
1Knobloch J,Glunz S W, Biro D, et al. Solar cells with efficiencies above 21% processed from Czochralski grown silicon [ C ]//IEEE Photovoltaic Specialist Conf., 1996:405-408.
-
2Zhao J, Wang A, Green M A. Performance degradation in Cz(B) cells and improved stability high efficiency PERT and PERL silicon cells on a variety of SEH MCZ(B), Fz(B) and Cz(Ga) SubstratesEJ]. Progress in Photovoltaics, 2000, 8(5):549-558.
-
3SchmidtJ, Aberle A G, Hezel R. Investigation of carrier lifetime instabilities in Cz-grown silicon[C]// 26th IEEE Photovoltaic Specialist Conf. , 1997:13-18.
-
4Schmidt J, Hezel R. Light-induced degradation in Cz silicon solar cells: fundamental understanding and strategies for its avoidance[C]//12th Workshop on Crystalline Silicon Solar Cell Materials and Processes, 2002:321-325.
-
5Mulligan W P, Rose D H, Cudzinovic M J, et al. Manufacture of solar cells with 21% efficiency[C]// 19th European Photovoltaic Solar Energy Conf., 2004:387-390.
-
6Cousins P J,Smith D D, Luan H C, et al. Gen Ill: improved performance at lower cost[C]//35th IEEE Photovoltaic Specialist Conf. , 2010:823-826.
-
7Zhao J,Wang A. High efficiency rear emitter PERT cells on Cz and Fz n-type silicon substrates[C]//IEEE 4th World Conf. on Photovoltaic Energy Conversion, 2006:996-999.
-
8KinoshitaT, Fujishima D, Yano A, et al. Theapproaches for high efficiency HIT solar cell with very thin (% 100 ram) silicon wafer over 230/00[C]//26th European Photovoltaic Solar Energy Conf. , 2011:871- 874.
-
9TsunomuraY, Yoshimine Y, Taguchi M, et al. Twenty-two percent efficiency HIT solar cell[J]. Solar Energy Materials and Solar Cells, 2009, 93 (6) : 670- 673.
-
10Sakata H, Tsunomura Y, Inoue H, et al. High- efficiency HIT solar cell on thin (:100 :m) silicon wafer[C]//24th European Photovoltaic Solar Energy Conf. , 2009:1690-1693.
共引文献20
-
1宋登元,郑小强.高效率晶体硅太阳电池研究及产业化进展[J].半导体技术,2013,38(11):801-806. 被引量:10
-
2周涛,赵洋,陆晓东,张鹏,李媛.N型背接触晶硅太阳电池前表面场研究[J].电子元件与材料,2015,34(4):14-18. 被引量:2
-
3和江变,邹凯,马承鸿,李健.N型背发射极晶体硅太阳电池模拟研究[J].光电技术应用,2015,30(2):27-32. 被引量:3
-
4周涛,陆晓东,张鹏,夏婷婷.晶硅衬底参数对背接触太阳电池性能的影响[J].半导体技术,2015,40(6):441-447. 被引量:3
-
5周涛,陆晓东,吴元庆,刘兴辉,吴春瑜.前结背接触晶硅太阳电池发射区研究[J].电子元件与材料,2015,34(10):43-47.
-
6周涛,陆晓东,吴元庆,夏婷婷.背接触太阳电池发射区设计及可靠性研究[J].半导体技术,2015,40(10):775-782. 被引量:2
-
7周涛,陆晓东,吴元庆,李媛.高效背接触太阳电池反向热击穿特性研究[J].高技术通讯,2015,25(12):1076-1082.
-
8周涛,刘聪,陆晓东,吴元庆,夏婷婷.单晶硅太阳电池发射区结构设计与工艺优化[J].材料导报,2016,30(6):28-32. 被引量:1
-
9周涛,陆晓东,吴元庆,李媛.T型发射区单晶硅太阳电池的输出特性研究[J].高技术通讯,2016,26(3):315-321.
-
10周涛,陆晓东,吴元庆,张金晶.体内和表面复合中心对单晶硅太阳电池电学性能的影响[J].电子元件与材料,2016,35(11):67-71.
-
1陈晨,张巍,贾锐,张代生,邢钊,金智,刘新宇.前瞻晶体硅太阳能电池未来产业化——高效N型背结前接触和背结背接触晶体硅太阳能电池[J].中国科学:物理学、力学、天文学,2013,43(6):708-717. 被引量:4
-
2张治,董鹏,吕欣,崇锋,王雪松.太阳电池Ⅰ-Ⅴ测试仪校准实质的研究[J].太阳能,2013(8):47-50. 被引量:2
-
3吴冬燕,王探春.一种新型基于现有P型晶体硅太阳能电池生产线实现N型晶体硅太阳能电池生产的技术方法[J].山东工业技术,2013(13):16-16.
-
4李振动,蔡勇,郭飞,柏峰,王龙宇,赵哲源,周生海,韩琨.智能变电站重合闸方案的研究分析[J].电气工程学报,2015,10(12):58-62. 被引量:5
-
5和江变,邹凯,马承鸿,李健.N型背发射极晶体硅太阳电池模拟研究[J].光电技术应用,2015,30(2):27-32. 被引量:3
-
6阎智,林雪峰.直驱风电机组的风电场建模及联络线故障研究[J].电力勘测设计,2015,27(2):73-77. 被引量:1
-
7王世强,魏建林,张冠军,杨双锁,董明,刘孝为,霍大渭.温度对油纸绝缘介电响应特性的影响[J].电工技术学报,2012,27(5):50-55. 被引量:42
-
8郄毅鹏,董莉,姚元鑫.太阳电池稳态双通道I-V特性测试方法研究[J].电源技术,2015,39(10):2155-2156.
-
9王立建,刘彩池,陈玉武,辛国军,左云翔,章灵军.酸腐多晶硅太阳电池表面织构的研究[J].电源技术,2008,32(11):784-786. 被引量:4
-
10刘贞,刘宁,鲜康,闫亮,张翼,朱司承,吴剑凌.电网建设外部环境中的冲突趋势及原因分析[J].电网与清洁能源,2009,25(10):10-16. 被引量:10