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第三代半导体SiC技术的崛起

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摘要 第一代半导材料Si点燃了信息产业发展的“星星之火”,而Si材料芯片也成就了“美国硅谷”高科技产业群,促使英特尔等世界半导体巨头的诞生,95%以上的半导体器件和99%以上的集成电路都是由Si材料制作。目前全球40%能量作为电能被消耗,而电能转换最大耗散是半导体功率器件。曾经的“中流砥柱”Si功率器件己日趋其发展的材料极限,难以满足当今社会发展对于高频、高温、高功率、高能效、耐恶劣环境以及轻便小型化的新需求。以SiC为代表的第三代半导体材料凭借其优异属性,将成为突破口,正在迅速崛起。
出处 《现代材料动态》 2015年第6期17-17,共1页 Information of Advanced Materials
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