摘要
Carbon nanotubes （CNTs） have emerged as an important material for printed macroelectronics. However, achieving printed complementary macroelectronics solely based on CNTs is difficult because it is still challenging to make reliable n-type CNT transistors. In this study, we report threshold voltage （Vth） tuning and printing of complementary transistors and inverters composed of thin films of CNTs and indium zinc oxide （IZO） as p-type and n-type transistors, respectively. We have optimized the Vth of p-type transistors by comparing Ti/Au and Ti/Pd as source/drain electrodes, and observed that CNT transistors with Ti/Au electrodes exhibited enhancement mode operation （Vth 〈 0）. In addition, the optimized In：Zn ratio offers good n-type transistors with high on-state current （Ion） and enhancement mode operation （Vth 〉 0）. For example, an In：Zn ratio of 2：1 yielded an enhancement mode n-type transistor with Vth - 1 V and Ion of 5.2 μA. Furthermore, by printing a CNT thin film and an IZO thin film on the same substrate, we have fabricated a complementary inverter with an output swing of 99.6% of the supply voltage and a voltage gain of 16.9. This work shows the promise of the hybrid integration of p-type CNT and n-type IZO for complementary transistors and circuits.
碳 nanotubes CNT 为打印 macroelectronics 作为重要材料出现了。因为它仍然正在质问使可靠 n 类型成为 CNT 晶体管，然而，完全基于 CNT 完成打印互补 macroelectronics 是困难的。在这研究，我们报导阀值电压 V < 潜水艇 class= “ a-plus-plus ” > 互补晶体管和 inverters 调节并且打印的 th </sub> 分别地作为 p 类型和 n 类型晶体管 CNT 和铟锌氧化物 IZO 的薄电影创作了。我们优化了 V <潜水艇class=“ a-plus-plus ”>由作为来源/排水管电极比较 Ti/Au 和 Ti/Pd 的p类型晶体管的 th </sub>，并且观察到有 Ti/Au 电极的 CNT 晶体管展出了改进模式操作 V <潜水艇class=“ a-plus-plus ”> th </sub>我<潜水艇class=“ a-plus-plus ”>在</sub>和改进模式操作 V 上<潜水艇class=“ a-plus-plus ”> th </sub>> 0 。例如，一在里面: 2:1 的 Zn 比率与 V 产出一只改进模式 n 类型晶体管 < 潜水艇 class= “ a-plus-plus ” > th </sub> 1 V 并且我 < 潜水艇 class= “ a-plus-plus ” > 在 5.2 A 的 </sub> 上。而且，由打印，一部 CNT 薄电影和 IZO 变瘦一样的底层上的电影，我们与 99.6% 供应电压和 16.9 的电压获得的一个产量秋千制作了互补 inverter。这个工作为互补晶体管和电路显示出 p 类型 CNT 和 n 类型 IZO 的混合集成的诺言。
