氧化锌薄膜材料研究

1997年发现室温紫外激光受激发射现象以来,Zn O就逐渐成为宽带隙光电材料领域的热点之一。Zn O为Ⅱ-Ⅵ族化合物,是一种宽禁带直接带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.37 e V,可见光区透过率达80%以上。本文总结了氧化锌薄膜的制备方法、发光原理等方面的研究进展,展望了氧化锌研究的热点应用。