太阳能单晶硅位错密度<3000个/cm^2的检测方法研究被引量：1

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摘要该文在无位错单晶硅的检验检测方法GB/T1554-2009的基础上,结合太阳能单晶硅位错腐蚀坑的分布规律,通过实验总结分析,得出了针对太阳能单晶硅位错密度<3000个/cm2比较合理的检验检测方法。

作者张学强方丽霞郭云鹏

机构地区洛阳中硅高科技有限公司洛阳单晶硅有限责任公司

出处《科技资讯》 2014年第35期75-75,共1页 Science & Technology Information

关键词太阳能单晶硅位错密度择优腐蚀位错迁移理论

参考文献2

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2014年第35期

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