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丰田合成开发耐高压、低损耗半导体技术
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摘要
2015年5月,丰田合成(璺田合成株式会社)宣布成功开发出具有耐高压、低损耗等优异物理特性的氮化镓(GaN)半导体的制备技术。
作者
贾磊
出处
《无机盐工业》
CAS
北大核心
2015年第7期23-23,共1页
Inorganic Chemicals Industry
关键词
半导体技术
耐高压
低损耗
合成
开发
丰田
株式会社
制备技术
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
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孙怡,刘兴立.
单片机语音合成开发[J]
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2
住田光学与丰田合成开发出玻璃封装白色LED[J]
.光机电信息,2008,25(10):57-58.
3
丰田合成开发新型白色LED[J]
.现代材料动态,2004(10):19-19.
无机盐工业
2015年 第7期
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