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浅谈硅片背面铜污染的清洗
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摘要
在半导体芯片的生产过程中,硅片背面出现铜污染(以下简称Cu污染)的现象屡见不鲜。目前有三种溶液配制成的混合液可作为清洗液使用,它们分别是由H2SO4/H2O2/H2O、HNO3/HF和HF/H2O2/H2O各按照一定比例配制成的。本文就是针对这三种清洗液展开讨论,浅谈清洗液对于硅片背面Cu污染的清洗。
作者
刘永刚
机构地区
河北普兴电子科技股份有限公司
出处
《科技风》
2015年第15期128-128,共1页
关键词
铜污染
单片清洗
硅片背面
刻蚀
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
引文网络
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陈波.
硅片背面铜污染的清洗[J]
.半导体技术,2011,36(1):14-16.
被引量:4
二级参考文献
3
1
小川洋辉,崛池靖浩.半导体洁净技术[M].中国台湾:普林斯顿国际有限公司,2003:248-249.
2
RICHARD C,GUYADER F,BARLA K. Backside cleaning for copper removal [J]. Solid State Phenomena, 2003,92 : 121 - 124.
3
OHMI T. Scientific wet process technology for innovative LSI/FPD manufacturing [ M ]. America: Taylor & Francis Group ,2006:40 - 43.
共引文献
3
1
周小英.
太阳能级硅片化学清洗技术进展[J]
.新余学院学报,2011,16(6):92-94.
被引量:3
2
何叶,袁慧,冷白羽,杨波,白敏菂.
窄间隙介质阻挡放电清除硅片表面颗粒污染物[J]
.微纳电子技术,2020,57(5):409-414.
被引量:2
3
陈荔英.
新型聚合硫酸氯化铁在废水处理中的应用[J]
.能源与环境,2023(1):84-86.
被引量:1
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8
1
武永超,赵权,陆峰,佟丽英.
硅片背面软损伤工艺技术研究[J]
.电子工业专用设备,2013,42(11):12-18.
被引量:2
2
江海波,熊玲,朱梦楠,邓刚,王小强.
硅片背面减薄技术研究[J]
.半导体光电,2015,36(6):930-932.
被引量:8
3
陈菊英.
去除硅片背面金属污染的方法研究[J]
.集成电路应用,2016,33(7):25-28.
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刘洋,刘玉玲.
不同生产工艺对硅片表面翘曲及机械性能的影响[J]
.电子工业专用设备,2014,43(10):14-16.
被引量:4
5
任凯,肖健,袁夫通,何晶.
不同装片工艺对硅片翘曲的影响[J]
.电子与封装,2020,20(9):51-54.
被引量:6
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李建德,赵秀芳,徐艳艳,高丽荣,蒋丽微,舒敏娣.
硅外延片表面微缺陷分析方法研究[J]
.广东化工,2021,48(22):188-188.
被引量:2
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刘勇,仇光寅,邓雪华,杨帆,金龙.
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.电子与封装,2022,22(7):49-52.
被引量:1
8
张双琴.
硅外延表面雾缺陷的研究[J]
.中外企业家,2014(4Z):249-249.
被引量:3
引证文献
1
1
徐卫东,肖健,何晶,袁夫通.
ASM E2000硅外延片异常背圈现象研究与分析[J]
.电子与封装,2024,24(1):51-55.
1
陈波.
硅片背面铜污染的清洗[J]
.半导体技术,2011,36(1):14-16.
被引量:4
2
Lasertec公司推出BGM300测量TSV深度[J]
.微纳电子技术,2014,51(4):273-273.
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高建利.
基于工位自控制的全自动单片清洗设备的软件设计[J]
.电子工业专用设备,2015,44(1):39-42.
4
黄正忠.
显象管制屏高纯水铜污染的监测[J]
.真空电子技术,1989,2(2):59-61.
5
孙金坛,陈军宁.
硅片背面激光损伤的吸杂效果[J]
.中国激光,1993,20(3):206-209.
6
王长文.
热风整平机锡槽中铜污染的清除[J]
.电子工艺简讯,1993(8):9-10.
7
邢友翠.
抛光背垫对比分析[J]
.天津科技,2013,40(4):94-95.
8
康仁科,郭东明,霍风伟,金洙吉.
大尺寸硅片背面磨削技术的应用与发展[J]
.半导体技术,2003,28(9):33-38.
被引量:26
9
闵靖,邹子英,李积和,周子美,陈青松,陈一.
外吸除用硅片背面加工技术的研究[J]
.稀有金属,2001,25(5):340-344.
被引量:2
10
陈菊英.
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.集成电路应用,2016,33(7):25-28.
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