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浅谈硅片背面铜污染的清洗
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摘要
在半导体芯片的生产过程中,硅片背面出现铜污染(以下简称Cu污染)的现象屡见不鲜。目前有三种溶液配制成的混合液可作为清洗液使用,它们分别是由H2SO4/H2O2/H2O、HNO3/HF和HF/H2O2/H2O各按照一定比例配制成的。本文就是针对这三种清洗液展开讨论,浅谈清洗液对于硅片背面Cu污染的清洗。
作者
刘永刚
机构地区
河北普兴电子科技股份有限公司
出处
《科技风》
2015年第15期128-128,共1页
关键词
铜污染
单片清洗
硅片背面
刻蚀
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
引文网络
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科技风
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