深槽和阱邻近效应对MOSFET性能的影响
摘要
开发测试结构是为了实现深槽和阱邻近效应在0.13μm间距工艺中对MOSFET影响的量化。本文分析了两类结构:深槽和阱边缘一起变化以及这些边缘单独变化。测量结果表明,深槽和阱邻近效应能够影响器件性能。
出处
《中国集成电路》
2015年第7期35-36,74,共3页
China lntegrated Circuit
参考文献5
-
1T. B. Hook et al., "Lateral ion implant straggle and mask proximity effect," IEEE Trans. Electron Dev., Vol. 50, No, 9, pp. 1946-1951, Sep. 2003.
-
2P. G. Drennan et al., "Implication of proximity effects for analog design," Proc. IEEE CICC, pp. 169- 176, 2006.
-
3R.D. Rung et al., "Deep Trench Isolated CMOS De- vices" IEEE IEDM, pp. 237-240, 1982.
-
4G.Scott, et al., "NMOS Drive Current Reduction Caused by Transistor Layout and Trench Isolation Induced Stress", IEEE IEDM, pp. 117-120, 1999.
-
5H. Yang et al., "Approach to the Silicon limit: Adv- anced NLDMOS in 0.13urn SOI technology for auto- motive and industrial applications up to 110V," Proc. ISPSD, pp. 357-360, 2013.
-
1季旭东（译）,卢有祥（校对）.NF的高压技术促进了背光源的发展[J].光电技术,2008,49(3):41-42.
-
2闫锐,李亮,默江辉,崔玉兴,付兴昌.SiC材料的ICP-RIE浅槽刻蚀工艺[J].半导体技术,2014,39(8):600-604. 被引量：1
-
3谢勇,许海虹,陈辉明,王占奎.国外高压大容量变频器技术[J].江苏机械制造与自动化,2000(6):1-3.
-
4张羊羊,朱方明,沈林放,高振.介质填充浅槽周期结构表面上的太赫兹表面等离子体激元[J].光子学报,2012,41(4):389-393. 被引量：10
-
5胡冬青.2012年IEEE国际功率半导体器件(电力电子器件)及功率集成电路会议综述[J].电力电子,2012(5):6-24. 被引量：2
-
6Guoyou Liu,Rongjun Ding,Haihui Luo.Development of 8-inch Key Processes for Insulated-Gate Bipolar Transistor[J].Engineering,2015,1(3):361-366. 被引量：5
-
7邵振亚,冷家波.光控L波段平面GaAs－PIN二极管的实验研究[J].固体电子学研究与进展,1995,15(1):21-25.
-
8张前玉,何培之,朱长纯.硅腐蚀液中加入醋酸作用机理的研究[J].西安交通大学学报,1989,23(5):35-38. 被引量：1
-
9高涛,郭关平.高压变频调速技术的应用探讨[J].中国高新技术企业,2008(15):46-46.
-
10余洪斌,陈海清,竺子民,李俊,张大成,李婷.一种新型微变形镜键合技术[J].光电工程,2004,31(8):12-14. 被引量：1
