摘要
电子具有电荷和自旋两个重要属性,传统的半导体器件仅利用了电子的电荷属性,稀磁半导体材料可以同时利用电子的电荷和自旋属性,成为未来半导体自旋电子器件的关键材料之一。人们期望通过对稀磁半导体材料的研究获得具有非易失、多功能、超高速和低功耗等特性的半导体自旋器件,这对材料和信息技术领域都将是一场质的革命。
出处
《中国科学基金》
CSSCI
CSCD
北大核心
2015年第4期285-288,共4页
Bulletin of National Natural Science Foundation of China
基金
国家杰出青年科学基金项目(51025101)资助
关键词
氧化物稀磁半导体
非补偿p-n共掺
自旋注入
磁电阻效应
oxide-based diluted magnetic semiconductors
non-compensated p-n codoping
spin injection
magnetoresistance effect