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GaN-MOCVD设备MO源注入摩尔流量的精确控制

Accurate Control of MO Source Injected Mol Flow of GaN-MOCVD
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摘要 分析了GaN-MOCVD设备中MO源注入摩尔流量控制的基本原理,给出了决定MO源注入摩尔流量的三个重要条件,然后针对于Ga N-MOCVD中5种常用的金属有机源,根据工艺生长的需要,分别给出了MO源注入摩尔流量精确控制的解决方案。 The article analyses basic principle of control of MO source injected mol flow of Ga N-MOCVD,and gives three important condition of decided MO Source Injected Mol Flow. Then to five familiar metal organic source of Ga N-MOCVD, based of demand of technology growth,respectively gives solution of accurate control of MO source injected mol flow.
出处 《电子工业专用设备》 2015年第6期31-35,共5页 Equipment for Electronic Products Manufacturing
关键词 半导体设备 GaN-金属有机化学气相沉积 金属有机化合物源 注入摩尔流量 Semiconductor equipment Ga N-MOCVD MO source injected mol flow
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