新疆理化所获得一种性能优异的红外倍频晶体最新半导体薄膜仅为三个原子厚

利用红外倍频晶体进行激光变频是获得光通讯两个大气窗口3-5μm和8-12μm激光源的重要手段，在军事和民用领域都有着极为重要的应用价值。目前可商业应用的红外波段倍频晶体AgGaQ2（Q=S，Se）和ZnGeP2等存在两大缺陷，即较小的激光损伤阈值阻碍其在高功率激光器上的应用以及需要在密闭体系生长避免原料氧化，单晶生长难度较大。