摘要
随着对巨磁电阻（GMR）现象的研究，使利用电子的自旋特性来拓展器件的新功能成为可能。由此诞生了一门新的学科——自旋电子学。在对自旋电子学规律的研究中，人们认识到磁性薄膜的磁矩和流过它的传导电子的自旋之间可以发生相互作用，磁矩将作用一个力矩到传导电子的自旋上，使其改变方向。1996年，出于对牛顿第三定律的深刻理解，Slonczewski和Berger理论研究表明自旋极化电流通过纳米尺度的铁磁薄膜或金属磁性多层膜中时，极化电流与多层膜中的散射会带来由极化电子到铁磁薄膜磁矩的自旋角动量转移。从而对铁磁薄膜的磁矩产生自旋矩，使铁磁薄膜磁矩处于不平衡状态，从而可能发生磁矩的转动，进动甚至是磁化方向翻转，
出处
《科技成果管理与研究》
2015年第8期8-9,共2页
Management And Research On Scientific & Technological Achievements
