我国成功研制重要战略半导体材料

我国成功自主研制了4英寸高纯半绝缘碳化硅半导体材料，为我国新一代雷达系统的研制奠定基础。近日，我国自主研制的4英寸高纯半绝缘碳化硅（SiC）衬底产品面世。中国电子材料行业协会组织的专家认为，该成果国内领先，已达到国际先进水平。