浅析GaN基新型结构HEMT器件

近些年来,随着时代经济的飞速发展以及科技的进步,GaN材料不仅仅有着较高的饱和电子迁移速度,同时也有着较高的击穿场强。对于GaN基的HEMT器件而言,是实现毫米波功率器件的一种重要选择。分析GaN基新型结构HEMT器件时,首先对GaN基新型结构HEMT器件的发展历程进行回顾,其次对GaN基新型结构HEMT器件的设计原理做了具体的分析,最后探讨了GaN基新型结构HEMT器件的基本结构。