0.13微米嵌入式自对准分栅闪存技术与工艺开发

为打破国外技术垄断，该项目作为”极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项立项项目之一，提出了开发0．13微米嵌入式闪存技术，发展国产SIM卡产业的方案。项目主要开发了0．13微米多个技术节点的嵌入式自对准分栅闪存技术与工艺，包括多代不断微缩的闪存和标准逻辑器件，并将两者完美结合。同时实现嵌入式产品的高可靠性。该项目在器件结构、器件工艺、芯片设计、电路设计、产品可靠性等方面实现了全方位创新，已获53项专利授权。