一维结构二氧化锡的电压-电流特性研究

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摘要采用易挥发的金属氯化物,通过化学气相沉积法(CVD)在FTO导电玻璃上直接生长一维结构二氧化锡纳米锥阵列,研究一维纳米结构二氧化锡的电压-电流(I-V)特性,探讨结构与性能的本质联系,为高性能的二氧化锡纳米材料太阳能电池的研制提供理论和技术上的支持。

作者李小博高于涵马占营范广

机构地区咸阳师范学院化学与化工学院

出处《技术与市场》 2015年第9期60-60,63,共2页 Technology and Market

基金陕西省教育厅自然科学基金项目No.12JK0631 No.2013JK0692 咸阳师范学院专项科研基金项目No.12XSYK025 No.14XSYK011 No.14XSYK012提供资助

关键词二氧化锡(SnO2) 纳米锥阵列电压-电流(I-V)性能

参考文献2

1Z. R. Dai, W. P. Zheng and Z. L. Wang., Growth and Structure Evolution of Novel Tin Oxide Diskettes, [ J ] J. Am. Chem. Soc. , 2002, 124:8673 - 8680.
2H. G. Yang and H. C. Zeng., Self-Construction of Hol- low Sn02 Octahedra Based on Two - Dimensional Aggrega- tion of Nanocrystallites,[J]. Angew. Chem. Int. Ed. 2004, 43: 5930- 5933.

技术与市场

2015年第9期

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