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基于InP HBT工艺的100 GHz静态及动态分频器 被引量:1

100 GHz Static and Dynamic Frequency Dividers in InP HBT Technology
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摘要 南京电子器件研究所基于76.2mm(3英寸)InP HBT圆片工艺,研制出最高工作频率达100GHz的静态分频器以及动态分频器。图1为静态分频器测试结果,此电路可在2~100GHz范围内实现二分频。图2为动态分频器测试结果,此电路可在75~100GHz范围内实现二分频。
出处 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期F0003-F0003,共1页 Research & Progress of SSE
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