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集成电路用高纯金属材料及高性能溅射靶材制备研究进展 被引量:19

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摘要 一、概述集成电路产业作为电子信息产业的核心,是关系国民经济和社会发展的具有基础性和先导性的战略性产业,一直受到国家的高度重视。2014年是我国集成电路产业发展历程中具有里程碑意义的一年,国务院发布了《国家集成电路产业发展推进纲要》并设立国家集成电路产业投资基金,对于集成电路产业的扶植力度空前加强,整个产业将迎来最快的发展阶段。在可以预见的未来,集成电路产业将成为支撑自主可控信息产业的核心力量和推动“两化”深度融合的重要基础。目前,我国集成电路产业规模位居世界前列,已经形成了芯片设计、制造、封装测试及支撑配套业共同发展的较为完善的产业链格局。
出处 《新材料产业》 2015年第9期47-52,共6页 Advanced Materials Industry
基金 "国家科技重大专项02专项(2011ZX02705-004 2014ZX02501009)" "北京市科技新星项目资助(Z1511000003150102)"
  • 相关文献

参考文献13

二级参考文献80

  • 1尚再艳,江轩,李勇军,杨永刚.集成电路制造用溅射靶材[J].稀有金属,2005,29(4):475-477. 被引量:47
  • 2钟俊辉.迅速发展的溅射靶材[J].电子材料(机电部),1994(11):8-14. 被引量:1
  • 3赵嘉学,金凡亚.常见磁控溅射靶材利用率及其计算方法的探讨[J].核聚变与等离子体物理,2007,27(1):66-72. 被引量:13
  • 4Murarka S P. Transition metal silicides [ J ]. Ann. Rev. Mater. Sci. , 1983, 13: 120.
  • 5Petrovie J J. Mechanical behavior of MoSi2 and MoSi2 composites [J]. Mater. Sc. & Eng., 1995, A192/A193: 31.
  • 6Suzuki Y, Sekino T, Niihara K. Effect of ZrO2 Addition on microstrueture and mechanical properties of MoSi2 [ J ]. Scrip. Metallet. Mater., 1995, 33(11): 69.
  • 7Hirotumi K, Takenosceken M. Physical properties of Beta-FeSi2 and its applications [ J ]. Solid State Physics, 2001, 36 : 865.
  • 8Chen Weiren, Chang Tingchang, Liu Potsun, Lin Posun, Tu Chunhao, Chang Chunyeu. Formation of stacked Ni silicide nanocrystals for nonvolatile memory application [ J ]. Appl. Phys. Lett., 2007, 90: 112108-1.
  • 9Kim Joo Hyung, YangJung Yup, Lee Jun Seok, Hong Jin Pyo. Memory characteristics of cobalt-silicide nanocrystals embedded in HfO2 gate oxide for nonvolatile nanocrystal flash devices [ J]. Appl. Phys. Lett. , 2008, 92: 013512.
  • 10Wang M H, Chen L J. Phase formation in the interfacial reactions of ultrahigh vacuum deposited titanium thin films on ( 111 ) Si [J]. J. Appl. Phys., 1992, 71: 5918.

共引文献75

同被引文献170

引证文献19

二级引证文献50

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