摘要
文章主要针对当前单晶硅生长技术进行了分析综述。并针对磁场直拉、改良热场、磁场直拉以及真空高阻、氧浓度控制等技术展开了研究。
出处
《科技创新与应用》
2015年第31期47-47,共1页
Technology Innovation and Application
二级参考文献29
-
1何颖,赵争鸣.新疆光伏发电现状及发展对策[J].能源工程,2004,24(4):35-37. 被引量：10
-
2万群.半导体硅材料的高速发展[J].世界有色金属,1996,21(10):10-13. 被引量：2
-
3A. Schoecker, L.J. Laas, A. Gutjahr. RIBBON- GROWTHON- SUBSTRATE, PROGRESS IN HIGH- SPEED CRYSTALLINE SILICON WAFER MANUFACTURING, The 29th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 20-24 May 2002,New Orleans, USA.
-
4Wenhui MA, Masaru Ogura, Takeshi KobayashL Thermodynamic analysis and experimental study on preparation of solar grade silicon using hydrogen as reductant. Proceeding of JSES/JWEA joint Conference(2003), 361-364.
-
5Ms Wenhui. Study on harmless treatment and recycling of silica optical fiber wastes for preparation of solar grade silicon at low cost,Research report in the University of Tokyo, 2004.3: 8.
-
6梁骏吾 周廉 阙端麟.关于打破垄断、政府主导、多方向融资建设多晶硅工厂的建议.工程院院士建议(中国工程院政策研究室编),2005,(92).
-
7章伯垠.半导体材料研究的回顾与展望[J].世界有色金属,1989,:119-125.
-
8周福生 张伟或.试论我国半导体材料工业摆脱困境走向世界的策略[J].世界有色金属,1990,:39-44.
-
9Adolf Goetzberger, Christopher Hebling. Photovoltaic materials,past, present, future. Solar Energy Materials & Solar Cells, 62(2000):1 - 19 .
-
10Peter Wodirsch, Wolfgang Koch, Solar grade silicon feedstock supply for PV Industry. Solar Energy Materials & Solar Cells, 72(2002) : 11-26.
共引文献29
-
1杨大锦.2006年云南冶金年评[J].云南冶金,2007,36(2):39-51.
-
2闫洪,高玲.2006年云南金属材料与加工年评[J].云南冶金,2007,36(2):66-75.
-
3徐云飞,谭毅,姜大川,许富民.冶金法制备多晶Si杂质去除效果研究[J].特种铸造及有色合金,2007,27(9):730-732. 被引量：9
-
4张军.多晶硅产业技术经济风险分析[J].昆明冶金高等专科学校学报,2008,24(3):4-11. 被引量：6
-
5刘志东,汪炜,田宗军,邱明波,黄因慧.太阳能硅片电火花电解高效切割研究[J].中国机械工程,2008,19(14):1673-1677. 被引量：16
-
6邱明波,黄因慧,刘志东,田宗军,汪炜.太阳能硅片制造方法研究现状[J].机械科学与技术,2008,27(8):1017-1020. 被引量：26
-
7黄锋,陈瑞润,郭景杰,丁宏升,毕维生,傅恒志.太阳能电池用硅材料的研究现状与发展趋势[J].特种铸造及有色合金,2008,28(12):925-930. 被引量：12
-
8吴斌,汪建华,满卫东,熊礼威,谢鹏,孙蕾.多晶硅薄膜太阳能电池的研究现状[J].世界科技研究与发展,2008,30(6):688-693. 被引量：12
-
9刘志东,汪炜,邱明波,田宗军,黄因慧.单晶硅高速走丝电火花线切割试验研究[J].南京航空航天大学学报,2008,40(6):758-762. 被引量：6
-
10王育军,张军,邱景平,孙晓刚.多晶硅产业国内外发展趋势[J].有色矿冶,2009,25(3):33-35. 被引量：3
同被引文献30
-
1魏昕,熊伟,黄蕊慰,袁慧.化学机械抛光中抛光垫的研究[J].金刚石与磨料磨具工程,2004,24(5):40-43. 被引量：20
-
2尹建华,李志伟.半导体硅材料基础[M].北京:化学工业出版社,2011.
-
3高梅.超精密平面研磨加工压力对精度的影响[J].机床与液压,2008,36(3):18-20. 被引量：3
-
4张银霞,郜伟,康仁科,郭东明.单晶硅片磨削损伤的透射电子显微分析[J].Journal of Semiconductors,2008,29(8):1552-1556. 被引量：5
-
5张振宇,郭东明,康仁科,高航,李岩.软脆功能晶体碲锌镉化学机械抛光[J].机械工程学报,2008,44(12):215-220. 被引量：10
-
6李岩,康仁科,高航,吴东江,王可.碲锌镉晶体高效低损伤CMP工艺研究[J].人工晶体学报,2009,38(2):416-421. 被引量：12
-
7徐常龙,曹小华,柳闽生,喻国贞.自组装单层膜的研究[J].江西师范大学学报（自然科学版）,2009,33(2):170-174. 被引量：9
-
8丁莉莉,刘英才,张玉明,胡校苹,刘志刚,荣鼎慧.硅粉表面化学镀铜工艺研究[J].材料开发与应用,2009,24(3):14-18. 被引量：2
-
9谢于柳,朱立豪,李卫宁.直拉单晶硅配料工艺探讨[J].太阳能,2010(5):34-35. 被引量：3
-
10LI Yan,KANG Renke,GAO Hang,and WU Dongjiang Key Laboratory for Precision and Non-Traditional Machining Technology (Ministry of Education),Dalian University of Technology,Dalian 116024,China.Damage mechanisms during lapping and mechanical polishing CdZnTe wafers[J].Rare Metals,2010,29(3):276-279. 被引量：2
引证文献3
-
1泰伟业.单晶硅生产工艺浅析[J].科技资讯,2015,13(31):102-103. 被引量：2
-
2党沛琳,唐田田,赵倩,王芳.基于自组装技术的单晶硅表面镀铜工艺[J].材料科学与工程学报,2017,35(5):780-784.
-
3江先燕,丛树仁,宁卓,起文斌,刘燕,宋林伟,孔金丞.碲锌镉衬底表面处理研究[J].红外技术,2023,45(11):1242-1255.
-
1傅林坚,曹建伟,沈文杰,朱亮,张俊,石刚,欧阳鹏根,叶欣,邱敏秀.反射环对区熔炉温度场的影响[J].机电工程,2014,31(1):62-66. 被引量：1
-
2张怡.直拉单晶硅生长和工艺研究[J].企业导报,2015,0(22):53-53. 被引量：4
-
3泰伟业.单晶硅生产工艺浅析[J].科技资讯,2015,13(31):102-103. 被引量：2
-
4蒋娜,袁小武,张才勇.单晶硅生长技术研究新进展[J].太阳能,2010(2):29-32. 被引量：3
-
5袁锦波,彭霞.无线通信网络中的负载均衡技术研究[J].数字技术与应用,2015,33(1):29-30.
-
6王福源.彩电回扫变压器早期失效分析综述[J].电子变压器技术,1991(1):1-6.
-
7张正华,彭霞,何宏智.无线通信网络中的干扰消除技术研究[J].科学咨询,2014(49):48-49. 被引量：3
-
8杨淑琴,杨海珍.水平磁场作用下单晶硅生长的计算机仿真[J].铸造技术,2014,35(5):1039-1041.
-
9闫萍,庞炳远,索开南.悬浮区熔法生长锗单晶[J].电子工业专用设备,2012,41(7):36-39.
-
10刘丽娟,仝泉.基于氩气流动条件下单晶硅生长氧碳含量影响研究[J].电子测试,2015,26(12):129-129.
