编者按

下载PDF

导出

摘要 20世纪80年代开始,半导体功率器件获得了突飞猛进的发展,继双极晶体管BJT（亦称GTR）刷新了之前的晶闸管SCR之后,金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET、绝缘栅双极型晶体管IGBT等快速功率开关器件又相继登场,而后又出现了具有强功率输出能力的门极可关断晶闸管GTO、集成门极换相晶闸管IGCT乃至静电感应晶体管SIT、静电感应晶闸管SITH。半导体功率器件的快速发展推动了电力电子变换技术及其产业应用领域的迅速壮大,如今,生产、生活、医疗卫生、交通运输、

出处《电工电能新技术》 CSCD 北大核心 2015年第9期1-16,28,共17页 Advanced Technology of Electrical Engineering and Energy

关键词金属氧化物半导体场效应晶体管门极可关断晶闸管半导体功率器件绝缘栅双极型晶体管静电感应晶体管静电感应晶闸管编者 MOSFET

分类号 TN34 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

参考文献27

1G Buja, G Indri. Improvement of pulse width modulation techniques [ J ]. Archiv fur Elektrotechnik, 1975, 57 ( 5 ) : 281-289.
2D A Grant, J A Houldsworth, K N Lower. A new high- quality PWM AC drive [ J]. IEEE Transactions on Indus- try Applications, 1982, IA-19 (2) : 211-216.
3R Bonert, R S Wu. Improved three phase pulse width modulation for overmodulation [ J]. IEEE Transactions on Industry Applications, 1985, IA-20 (5): 1224-1228.
4D A Grant, M Stevens, J A Houldsworth. The effect of word length on the harmonic content of microprocessor- based PWM waveform generators [ J]. IEEE Transactions on Industry Applications, 1985, IA-21 (1) : 218-225.
5S Fukuda, Y Iwaji, H Hasegawa. PWM technique for in- verter with sinusoidal output current [J]. IEEE Transac- tions on Power Electronics, 1990, 5 ( 1 ) : 54-61.
6S R Bowes, A Midoun. Suboptimal switching strategies for microprocessor-controlled PWM inverter drives [ J ]. Electric Power Applications, IEE Proceedings B, 1985, 132 (3) : 133-148.
7J T Boys, S J Walton. A loss minimised sinusoidal PWM inverter [ J]. Electric Power Applications, IEE Proceed- ings B, 1985, 132 (5) : 260-268.
8I Takahashi, H Mochikawa. A new control of PWM in- verter waveforms for minimum loss operation of an induc- tion motor drive [ J ]. IEEE Transactions on Industry Ap- plications, 1985, IA-21 (3) : 580-587.
9I Takahashi, H Mochikawa. Optimum PWM waveforms of an inverter for decreasing acoustic noise of an induction motor [ J]. IEEE Transactions on Industry Applications, 1986, IA-22 (5): 828-834.
10L J Jacovides. Analysis of induction motor drives with a nonsinusoidal supply voltage using Fourier analysis [ J ]. IEEE Transactions on Industry Applications, 1973, IA-9 (6) : 741-747.

1Hashi.,O,崔大巍.2.5kV2000A单片式逆导门极可关断晶闸管[J].国外电力电子技术,1992(2):1-3.
2朱见吾.门极可关断晶闸管（GTO）简介[J].工程技术与管理,1994(4):27-32.
3季凌云,张昌利,李更生,白杰.门极可关断晶闸管再导通机理分析及验证[J].电力电子技术,1996,30(3):97-100.
4瞿文龙.飞速发展的电力电子技术[J].中国集成电路,2003,12(49):1-4.
5王彩琳,高勇,张昌利.逆导型GCT阻断特性的分析与设计[J].Journal of Semiconductors,2005,26(9):1833-1837. 被引量：6
6任殿义,富致超,吴孙福,王坤,邹德臣.一种稳功(稳压、稳流)式功率放大器[J].电测与仪表,1989,26(11):8-12. 被引量：4
7田敬民,聂代祚.门极可关断晶闸管（GTO）直流放大系数α测试方法的研究[J].电力电子技术,1991(3):59-62.
8吴雄.门极可关断晶闸管及其应用[J].电子与仪表,1996(4):27-30.
9钱金荣.大容量门极可关断晶闸管GTO关断测试仪的研制[J].浙江大学学报（自然科学版）,1989,23(6):871-875.
10HIROMICHI OHASHI,李蕴嘉.大功率门极可关断晶闸管的吸收电路[J].河南电力,1994,22(2):61-70.

电工电能新技术

2015年第9期

浏览历史

内容加载中请稍等...

编者按

参考文献27

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史